文献
J-GLOBAL ID:201002259250455204
整理番号:10A0700694
イオン注入レベルリソグラフィにおけるレジスト残渣
Resist Residue in Ion Implantation Level Lithography
著者 (5件):
OJIMA Tomoko
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
ASANO Masafumi
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
TAKAHASHI Masanori
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
SEINO Yuriko
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
MIMOTOGI Shoji
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
49
号:
6,Issue 2
ページ:
06GD05.1-06GD05.5
発行年:
2010年06月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)