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文献
J-GLOBAL ID：201002259262567474
整理番号：10A0780924
パルスパワー応用のためのSiC SGTOの利点と最新の進歩
The benefits and current progress of SiC SGTOs for pulsed power applications
OGUNNIYI Aderinto
(Army Res. Lab., 2800 Powder Mill Rd., Adelphi, MD 20783, USA)
,
O’BRIEN Heather
(Army Res. Lab., 2800 Powder Mill Rd., Adelphi, MD 20783, USA)
,
LELIS Aivars
(Army Res. Lab., 2800 Powder Mill Rd., Adelphi, MD 20783, USA)
,
SCOZZIE Charles
(Army Res. Lab., 2800 Powder Mill Rd., Adelphi, MD 20783, USA)
,
SHAHEEN William
(Berkeley Res. Associates, 6551 Mid Cities Avenue, Beltsville, MD 20705, USA)
,
AGARWAL Anant
(Cree Inc., 4600 Silicon Drive, Durham, NC 27703, USA)
,
ZHANG Jon
(Cree Inc., 4600 Silicon Drive, Durham, NC 27703, USA)
,
CALLANAN Robert
(Cree Inc., 4600 Silicon Drive, Durham, NC 27703, USA)
,
TEMPLE Victor
(Silicon Power Corp., 958 Main Street, Clifton Park, NY 12065, USA)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 54 号： 10 ページ： 1232-1237 発行年： 2010年10月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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