文献
J-GLOBAL ID:201002259494657860
整理番号:10A0814514
バルク・窒化アルミニウム基板上の擬形態層から作った中紫外線発光ダイオードの特性
Properties of Mid-Ultraviolet Light Emitting Diodes Fabricated from Pseudomorphic Layers on Bulk Aluminum Nitride Substrates
著者 (4件):
GRANDUSKY James R.
(Crystal IS, Inc., NY, USA)
,
GIBB Shawn R.
(Crystal IS, Inc., NY, USA)
,
MENDRICK Mark C.
(Crystal IS, Inc., NY, USA)
,
SCHOWALTER Leo J.
(Crystal IS, Inc., NY, USA)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
3
号:
7
ページ:
072103.1-072103.3
発行年:
2010年07月25日
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)