文献
J-GLOBAL ID:201002260583315831
整理番号:10A0343667
逆接続1T/1MTJセルを利用した45nm低電力CMOS論理適合可能組込みSTT MRAM
45nm Low Power CMOS Logic Compatible Embedded STT MRAM Utilizing a Reverse-Connection 1T/1MTJ Cell
著者 (15件):
LIN C. J.
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., HsinChu, TWN)
,
KANG S. H.
(Qualcomm Inc., CA, USA)
,
WANG Y. J.
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., HsinChu, TWN)
,
LEE K.
(Qualcomm Inc., CA, USA)
,
ZHU X.
(Qualcomm Inc., CA, USA)
,
CHEN W. C.
(Qualcomm Inc., CA, USA)
,
LI X.
(Qualcomm Inc., CA, USA)
,
HSU W. N.
(Qualcomm Inc., CA, USA)
,
KAO Y. C.
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., HsinChu, TWN)
,
LIU M. T.
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., HsinChu, TWN)
,
CHEN W. C.
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., HsinChu, TWN)
,
LIN YiChing
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., HsinChu, TWN)
,
NOWAK M.
(Qualcomm Inc., CA, USA)
,
YU N.
(Qualcomm Inc., CA, USA)
,
TRAN Luan
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., HsinChu, TWN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
2009
ページ:
256-259
発行年:
2009年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)