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文献
J-GLOBAL ID：201002260630823956
整理番号：10A0823253
Schottkyダイオードへの応用を目指したNiを触媒としたシリコンナノワイヤアレイの成長
Ni-catalyzed growth of silicon wire arrays for a Schottky diode
JEE Sang-won
(Dep. of Materials and Chemical Engineering, Hanyang Univ., Ansan 426791, KOR)
,
KIM Joondong
(Nano-Mechanical SRC, Korea Inst. of Machinery and Materials, Daejeon 305343, KOR)
,
JUNG Jin-young
(Dep. of Materials and Chemical Engineering, Hanyang Univ., Ansan 426791, KOR)
,
UM Han-don
(Dep. of Materials and Chemical Engineering, Hanyang Univ., Ansan 426791, KOR)
,
MOIZ Syed Abdul
(Dep. of Materials and Chemical Engineering, Hanyang Univ., Ansan 426791, KOR)
,
YOO Bongyoung
(Dep. of Materials and Chemical Engineering, Hanyang Univ., Ansan 426791, KOR)
,
CHO Hyung Koun
(School of Advanced Materials Sci. and Engineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon 440746, KOR)
,
PARK Yun Chang
(Measurement and Analysis Div., National Nanofab Center, Daejeon 305806, KOR)
,
LEE Jung-ho
(Dep. of Materials and Chemical Engineering, Hanyang Univ., Ansan 426791, KOR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 97 号： 4 ページ： 042103 発行年： 2010年07月26日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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