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文献
J-GLOBAL ID：201002260737091117
整理番号：10A0727765
250nmから22nm設計ルールを用いたSRAMの中性子誘起ソフトエラーへのスケーリングの影響
Impact of Scaling on Neutron-Induced Soft Error in SRAMs From a 250nm to a 22nm Design Rule
IBE Eishi
(Hitachi, Ltd., Yokohama, JPN)
,
TANIGUCHI Hitoshi
(Hitachi, Ltd., Yokohama, JPN)
,
YAHAGI Yasuo
(Hitachi, Ltd., Yokohama, JPN)
,
SHIMBO Ken-ichi
(Hitachi, Ltd., Yokohama, JPN)
,
TOBA Tadanobu
(Hitachi, Ltd., Yokohama, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57 号： 7 ページ： 1527-1538 発行年： 2010年07月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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