文献
J-GLOBAL ID:201002260749648656
整理番号:10A0366324
多重量子-バリア電子障壁層を用いたAlGaN深紫外線発光ダイオードの効率の著しい強化
Marked Enhancement in the Efficiency of Deep-Ultraviolet AlGaN Light-Emitting Diodes by Using a Multiquantum-Barrier Electron Blocking Layer
著者 (9件):
HIRAYAMA Hideki
(RIKEN(Inst. Physical and Chemical Res.), Saitama, JPN)
,
HIRAYAMA Hideki
(JST-CREST, Saitama, JPN)
,
TSUKADA Yusuke
(RIKEN(Inst. Physical and Chemical Res.), Saitama, JPN)
,
TSUKADA Yusuke
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
,
TSUKADA Yusuke
(JST-CREST, Saitama, JPN)
,
MAEDA Tetsutoshi
(RIKEN(Inst. Physical and Chemical Res.), Saitama, JPN)
,
MAEDA Tetsutoshi
(JST-CREST, Saitama, JPN)
,
KAMATA Norihiko
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
,
KAMATA Norihiko
(JST-CREST, Saitama, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
3
号:
3
ページ:
031002.1-031002.3
発行年:
2010年03月25日
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)