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文献
J-GLOBAL ID:201002260749648656   整理番号:10A0366324

多重量子-バリア電子障壁層を用いたAlGaN深紫外線発光ダイオードの効率の著しい強化

Marked Enhancement in the Efficiency of Deep-Ultraviolet AlGaN Light-Emitting Diodes by Using a Multiquantum-Barrier Electron Blocking Layer
著者 (9件):
HIRAYAMA Hideki
(RIKEN(Inst. Physical and Chemical Res.), Saitama, JPN)
HIRAYAMA Hideki
(JST-CREST, Saitama, JPN)
TSUKADA Yusuke
(RIKEN(Inst. Physical and Chemical Res.), Saitama, JPN)
TSUKADA Yusuke
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
TSUKADA Yusuke
(JST-CREST, Saitama, JPN)
MAEDA Tetsutoshi
(RIKEN(Inst. Physical and Chemical Res.), Saitama, JPN)
MAEDA Tetsutoshi
(JST-CREST, Saitama, JPN)
KAMATA Norihiko
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
KAMATA Norihiko
(JST-CREST, Saitama, JPN)

資料名:
Applied Physics Express  (Applied Physics Express)

巻:号:ページ: 031002.1-031002.3  発行年: 2010年03月25日 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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