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文献
J-GLOBAL ID：201002261350481584
整理番号：10A0554836
AlOxパシベーション層の採用によるAl-Sn-Zn-In-O薄膜トランジスタの光誘起バイアス安定性の改善
Improvement in the photon-induced bias stability of Al-Sn-Zn-In-O thin film transistors by adopting AlOx passivation layer
YANG Shinhyuk
(Oxide Electronics Res. Team, Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon 305-700, KOR)
,
CHO Doo-hee
(Oxide Electronics Res. Team, Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon 305-700, KOR)
,
RYU Min Ki
(Oxide Electronics Res. Team, Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon 305-700, KOR)
,
PARK Sang-hee Ko
(Oxide Electronics Res. Team, Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon 305-700, KOR)
,
HWANG Chi-sun
(Oxide Electronics Res. Team, Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon 305-700, KOR)
,
JANG Jin
(Dep. of Information Display, Kyung Hee Univ., Seoul 130-701, KOR)
,
JEONG Jae Kyeong
(Oxide Electronics Res. Team, Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon 305-700, KOR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 96 号： 21 ページ： 213511 発行年： 2010年05月24日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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