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文献
J-GLOBAL ID：201002261698622629
整理番号：10A0491118
トンネリング電界効果トランジスタと金属酸化物半導体電界効果トランジスタの比較研究
Comparative Study of Tunneling Field-Effect Transistors and Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
CHOI Woo Young
(Sogang Univ., Seoul, KOR)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49 号： 4,Issue 2 ページ： 04DJ12.1-04DJ12.3 発行年： 2010年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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