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文献
J-GLOBAL ID：201002261726691380
整理番号：10A1127500
InGaAs/InAlAsナノスケールIn面構造における負性微分抵抗
Negative Differential Resistance in InGaAs/InAlAs Nanoscale In-Plane Structures
KOMATSUZAKI Yuji
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
HIGASHI Kazuhiro
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
KYOUGOKU Tomoteru
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
ONOMITSU Koji
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
HORIKOSHI Yoshiji
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49 号： 10 ページ： 104001.1-104001.5 発行年： 2010年10月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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