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文献
J-GLOBAL ID：201002262079429810
整理番号：10A0500541
InAlN/GaNとInAlN/AlGaN/GaNヘテロ構造FETの電気的性質のAlN中間層厚み依存性
Dependence of Electrical Properties of InAlN/GaN and InAlN/AlGaN/GaN Heterostructures FETs on the AlN Interlayer Thickness
HIROKI Masanobu
(NTT Corp., Atsugi-shi, JPN)
,
MAEDA Narihiko
(NTT Corp., Atsugi-shi, JPN)
,
SHIGEKAWA Naoteru
(NTT Corp., Atsugi-shi, JPN)
資料名：
IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
(IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E93-C 号： 5 ページ： 579-584 発行年： 2010年05月01日
JST資料番号： L1370A ISSN： 0916-8524 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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