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文献
J-GLOBAL ID：201002262131657878
整理番号：10A0491108
転位に基づくSiナノ素子
Dislocation-Based Si-Nanodevices
REICHE Manfred
(Max-Planck-Inst. Mikrostrukturphysik, Halle, DEU)
,
KITTLER Martin
(HIP Frankfurt(Oder), Frankfurt(Oder), DEU)
,
BUCA Dan
(Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU)
,
HAEHNEL Angelika
(Max-Planck-Inst. Mikrostrukturphysik, Halle, DEU)
,
ZHAO Qing-Tai
(Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU)
,
MANTL Siegfried
(Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU)
,
GOESELE Ulrich
(Max-Planck-Inst. Mikrostrukturphysik, Halle, DEU)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49 号： 4,Issue 2 ページ： 04DJ02.1-04DJ02.5 発行年： 2010年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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