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文献
J-GLOBAL ID：201002262298527178
整理番号：10A0814335
Siおよび二軸性歪み-Si金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおける剪断応力誘起電子移動度増大の実験的決定
Experimental Determination of Shear Stress induced Electron Mobility Enhancements in Si and Biaxially Strained-Si Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
WEBER Olivier
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TAKENAKA Mitsuru
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TAKAGI Shin-ichi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49 号： 7,Issue 1 ページ： 074101.1-074101.5 発行年： 2010年07月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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