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文献
J-GLOBAL ID：201002262351215167
整理番号：10A0054517
TiO2ナノ複合誘電体を挿入した高性能ポリ(3-ヘキシルチオフェン)トップゲートトランジスタ
High-performance poly(3-hexylthiophene) top-gate transistors incorporating TiO2 nanocomposite dielectrics
YANG Feng-yu
(Materials and Chemical Laboratories, Industrial Technol. Res. Inst., 195, Sec. 4, Chung Hsing Road, Chutung, Hsinchu ...)
,
HSU Meei-yu
(Materials and Chemical Laboratories, Industrial Technol. Res. Inst., 195, Sec. 4, Chung Hsing Road, Chutung, Hsinchu ...)
,
HWANG Gue-wuu
(Materials and Chemical Laboratories, Industrial Technol. Res. Inst., 195, Sec. 4, Chung Hsing Road, Chutung, Hsinchu ...)
,
CHANG Kuo-jui
(Dep. of Electronics Engineering and Inst. of Electronics, National Chiao Tung Univ., Hsinchu 300, Taiwan)
資料名：
Organic Electronics
(Organic Electronics)
巻： 11 号： 1 ページ： 81-88 発行年： 2010年01月
JST資料番号： W1352A ISSN： 1566-1199 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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