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文献
J-GLOBAL ID：201002262527672241
整理番号：10A0350384
n-GaN/i-AlN/n-GaN三重キャップ層とhigh-kゲート誘電体を備えたエンハンスメントモードGaN MIS-HEMT
Enhancement-Mode GaN MIS-HEMTs With n-GaN/i-AlN/n-GaN Triple Cap Layer and High-k Gate Dielectrics
KANAMURA Masahito
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
OHKI Toshihiro
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
KIKKAWA Toshihide
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
IMANISHI Kenji
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
IMADA Tadahiro
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
YAMADA Atsushi
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
HARA Naoki
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 31 号： 3 ページ： 189-191 発行年： 2010年03月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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