文献
J-GLOBAL ID:201002262681062057
整理番号:10A0253137
電荷捕獲フラッシュメモリに応用する様々な厚みのHfO2層の電荷捕獲特性
Charge trapping properties of the HfO2 layer with various thicknesses for charge trap flash memory applications
著者 (2件):
YOU Hee-wook
(Dep. of Electronic Materials Engineering, Kwangwoon Univ., 447-1 Wolgye-dong, Nowon-gu, Seoul 139-701, KOR)
,
CHO Won-ju
(Dep. of Electronic Materials Engineering, Kwangwoon Univ., 447-1 Wolgye-dong, Nowon-gu, Seoul 139-701, KOR)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
96
号:
9
ページ:
093506
発行年:
2010年03月01日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)