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文献
J-GLOBAL ID：201002262982223048
整理番号：10A0640538
貫通エッジ及び螺旋転位を含む4H-SiCアバランシェフォトダイオードの電気的キャラクタリゼイション
Electrical characterization of 4H-SiC avalanche photodiodes containing threading edge and screw dislocations
BERECHMAN R. A.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Carnegie Mellon Univ., 5000 Forbes Avenue, Pittsburgh, Pennsylvania 15213, USA)
,
SKOWRONSKI M.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Carnegie Mellon Univ., 5000 Forbes Avenue, Pittsburgh, Pennsylvania 15213, USA)
,
SOLOVIEV S.
(General Electric Global Res. Center, Niskayuna, New York 12309, USA)
,
SANDVIK P.
(General Electric Global Res. Center, Niskayuna, New York 12309, USA)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 107 号： 11 ページ： 114504 発行年： 2010年06月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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