文献
J-GLOBAL ID:201002263932427250
整理番号:10A0491019
金属-酸化物-窒化物-酸化物-半導体メモリのプログラム実行における電荷重心の抽出に対する新方法
A New Method to Extract the Charge Centroid in the Program Operation of Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor Memories
著者 (4件):
FUJII Shosuke
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
YASUDA Naoki
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
FUJIKI Jun
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
MURAOKA Kouichi
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
49
号:
4,Issue 2
ページ:
04DD06.1-04DD06.4
発行年:
2010年04月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)