文献
J-GLOBAL ID:201002266548291030
整理番号:10A0389013
埋め込まれたAl2O3層と硫黄による不動態化表面を持つIII-V族半導体-オン-インシュレータから成るnチャンネル型金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスタ:底面界面におけるキャリア散乱の低減
III-V-semiconductor-on-insulator n-channel metal-insulator-semiconductor field-effect transistors with buried Al2O3 layers and sulfur passivation: Reduction in carrier scattering at the bottom interface
著者 (13件):
YOKOYAMA Masafumi
(The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
,
YASUDA Tetsuji
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
TAKAGI Hideki
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
MIYATA Noriyuki
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
URABE Yuji
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
ISHII Hiroyuki
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
YAMADA Hisashi
(Sumitomo Chemical Co. Ltd., 6 Kitahara, Tsukuba, Ibaraki 300-3294, JPN)
,
FUKUHARA Noboru
(Sumitomo Chemical Co. Ltd., 6 Kitahara, Tsukuba, Ibaraki 300-3294, JPN)
,
HATA Masahiko
(Sumitomo Chemical Co. Ltd., 6 Kitahara, Tsukuba, Ibaraki 300-3294, JPN)
,
SUGIYAMA Masakazu
(The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
,
NAKANO Yoshiaki
(The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
,
TAKENAKA Mitsuru
(The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
,
TAKAGI Shinichi
(The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
96
号:
14
ページ:
142106
発行年:
2010年04月05日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)