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文献
J-GLOBAL ID：201002266969603163
整理番号：10A0611057
マルチフィンガーゲート構造でコンタクトエッチ停止層歪のある40nmMOSFETの駆動能力に対するフィンガーピッチの効果
Effect of Finger Pitch on the Driving Ability of a 40-nm MOSFET With Contact Etch Stop Layer Strain in Multifinger Gated Structure
CHEN Ming-Shing
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
FANG Yean-Kuen
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
JUANG Feng-Renn
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHIANG Yen-Ting
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
LIN Cheng-I
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
LEE Tung-Hsing
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
TSENG Chih-Yu
(United Microelectronics Corp., Hsinchu, TWN)
,
CHOU Sam
(United Microelectronics Corp., Hsinchu, TWN)
,
CHEN Chii-Wen
(Minghsin Univ. Sci. and Technol., Hsinchu, TWN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57 号： 6 ページ： 1355-1361 発行年： 2010年06月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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