文献
J-GLOBAL ID:201002267426517379
整理番号:10A0898599
原子層堆積法によAり調製したAl2O3/n-GaN構造の電気的性質の改善のためのプロセス条件
Process Conditions for Improvement of Electrical Properties of Al2O3/n-GaN Structures Prepared by Atomic Layer Deposition
著者 (4件):
HORI Yujin
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
MIZUE Chihoko
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
HASHIZUME Tamotsu
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
HASHIZUME Tamotsu
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
49
号:
8,Issue 1
ページ:
080201.1-080201.3
発行年:
2010年08月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)