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文献
J-GLOBAL ID：201002267886611810
整理番号：10A1339308
ゲート誘電膜として液相成長Al2O3を用いたn-GaN/AlGaN/GaN系MOSHEMTへの短時間DCバイアス誘起ストレス効果
Effects of Short-Term DC-Bias-Induced Stress on n-GaN/AlGaN/GaN MOSHEMTs With Liquid-Phase-Deposited Al2O3 as a Gate Dielectric
BASU Sarbani
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
SINGH Pramod K.
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
LIN Shun-Kuan
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
SZE Po-Wen
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
WANG Yeong-Her
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57 号： 11 ページ： 2978-2987 発行年： 2010年11月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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