文献
J-GLOBAL ID:201002268093799700
整理番号:10A0924907
無ドープ基板ETSOI FETとSOI FinFETのホットキャリア劣化
HOT-CARRIER DEGRADATION IN UNDOPED-BODY ETSOI FETs AND SOI FINFETs
著者 (14件):
WANG Miaomiao
(IBM Res. at Albany Nanotech, NY)
,
KULKAMI Pranita
(IBM Res. at Albany Nanotech, NY)
,
CHENG Kangguo
(IBM Res. at Albany Nanotech, NY)
,
KHAKIFIROOZ Ali
(IBM Res. at Albany Nanotech, NY)
,
BASKER V.S
(IBM Res. at Albany Nanotech, NY)
,
JAGANNATHAN Hemanth
(IBM Res. at Albany Nanotech, NY)
,
YEH Chun-Chen
(IBM Res. at Albany Nanotech, NY)
,
PARUCHURI Vamsi
(IBM Res. at Albany Nanotech, NY)
,
DORIS Bruce
(IBM Res. at Albany Nanotech, NY)
,
BU Huiming
(IBM Res. at Albany Nanotech, NY)
,
LIN Chung-Hsun
(IBM T. J. Watson Res. Center, NY, USA)
,
STATHIS James H.
(IBM T. J. Watson Res. Center, NY, USA)
,
MAITRA Kingsuk
(GLOBALFOUNDRIES Inc, NY, USA)
,
OLDIGES Philip J.
(SRDC, NY, USA)
資料名:
Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium
(Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻:
2010 Vol.2
ページ:
1099-1104
発行年:
2010年
JST資料番号:
A0631A
ISSN:
1541-7026
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)