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文献
J-GLOBAL ID：201002269134948495
整理番号：10A1065678
300°Cで透明性プラステイック上に作製した自己整合アモルファスシリコン薄膜トランジスタ
Self-Aligned Amorphous Silicon Thin-Film Transistors Fabricated on Clear Plastic at 300°C
CHERENACK K. H.
(Swiss Federal Inst. Technol., Zurich, CHE)
,
HEKMATSHOAR B.
(Princeton Univ., NJ, USA)
,
STURM James C.
(Princeton Univ., NJ, USA)
,
WAGNER Sigurd
(Princeton Univ., NJ, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57 号： 10 ページ： 2381-2389 発行年： 2010年10月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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