文献
J-GLOBAL ID:201002269350522052
整理番号:10A0235783
トレハロース誘導体レジスト材料を用いた80nm高密度線のステップアンドフラッシュナノインプリントリソグラフィー
Step and Flash Nano Imprint Lithography of 80nm Dense Line Pattern Using Trehalose Derivative Resist Material
著者 (3件):
TAKEI Satoshi
(Nissan Chemical Inst., Ltd., Chiba, JPN)
,
TAKEI Satoshi
(Univ. Texas, TX, USA)
,
TAKEI Satoshi
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
3
号:
2
ページ:
025202.1-025202.3
発行年:
2010年02月25日
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)