文献
J-GLOBAL ID:201002269893432738
整理番号:10A0491025
窒化したリードオンリーメモリ様不揮発性メモリ素子におけるプログラムおよび保持の間における電荷局在化
Charge Localization during Program and Retention in Nitrided Read Only Memory-Like Nonvolatile Memory Devices
著者 (12件):
NOWAK Etienne
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
VIANELLO Elisa
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
VIANELLO Elisa
(Univ. Udine, Udine, ITA)
,
PERNIOLA Luca
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
BOCQUET Marc
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
MOLAS Gabriel
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
KIES Rabah
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
GELY Marc
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
GHIBAUDO Gerard
(IMEP-LAHC, Grenoble, FRA)
,
DE SALVO Barbara
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
REIMBOLD Gilles
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
,
BOULANGER Fabien
(CEA-LETI, Grenoble, FRA)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
49
号:
4,Issue 2
ページ:
04DD12.1-04DD12.5
発行年:
2010年04月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)