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文献
J-GLOBAL ID：201002271513116736
整理番号：10A0565039
極薄(110)n型金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の<110>方向の電子移動度は<100>方向の電子移動度を超える
Superior 〈110〉-Directed Electron Mobility to 〈100〉-Directed Electron Mobility in Ultrathin Body (110) n-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
SHIMIZU Ken
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SARAYA Takuya
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
HIRAMOTO Toshiro
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49 号： 5,Issue 1 ページ： 051303.1-051303.3 発行年： 2010年05月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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