文献
J-GLOBAL ID:201002271926246166
整理番号:10A0924552
多数トランジスタ電荷捕集のSETパルス幅への効果
Effect of Multiple-Transistor Charge Collection on SET Pulse Widths
著者 (9件):
AHLBIN J. R.
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
GADLAGE M. J.
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
ATKINSON N. M.
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
BHUVA B. L.
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
WITULSKI A. F.
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
HOLMAN W. T.
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
MASSENGILL L. W.
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
EATON P. H.
(Micro-RDC, NM, USA)
,
NARASIMHAM B.
(Broadcom Corp., CA, USA)
資料名:
Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium
(Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻:
2010 Vol.1
ページ:
198-202
発行年:
2010年
JST資料番号:
A0631A
ISSN:
1541-7026
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)