文献
J-GLOBAL ID:201002272287722772
整理番号:10A1152018
アルミニウムナノ結晶を含有する窒化アルミニウム薄膜を用いた2端子1回書き込み多数回読み取り記憶素子
A Two-Terminal Write-Once-Read-Many-Times-Memory Device Based on an Aluminum Nitride Thin Film Containing Al Nanocrystals
著者 (6件):
LIU Y.
(Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Sichuan, CHN)
,
CHEN T. P.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
DING L.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
LI Y. B.
(Harbin Inst. Technol., Harbin, CHN)
,
ZHANG S.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
FUNG S.
(Univ. Hong Kong, HKG)
資料名:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻:
10
号:
9
ページ:
5796-5799
発行年:
2010年09月
JST資料番号:
W1351A
ISSN:
1533-4880
CODEN:
JNNOAR
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)