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文献
J-GLOBAL ID：201002272308116037
整理番号：10A0686261
マグネトロンスパッタリングを使った400°C以下の温度におけるSiO2中のGeナノ粒子のサイズ制御合成
Size controlled synthesis of Ge nanocrystals in SiO2 at temperatures below 400 °C using magnetron sputtering
ZHANG B.
(ARC Photovoltaics Centre of Excellence, Univ. of New South Wales, Sydney, New South Wales 2052, AUS)
,
SHRESTHA S.
(ARC Photovoltaics Centre of Excellence, Univ. of New South Wales, Sydney, New South Wales 2052, AUS)
,
GREEN M. A.
(ARC Photovoltaics Centre of Excellence, Univ. of New South Wales, Sydney, New South Wales 2052, AUS)
,
CONIBEER G.
(ARC Photovoltaics Centre of Excellence, Univ. of New South Wales, Sydney, New South Wales 2052, AUS)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 96 号： 26 ページ： 261901 発行年： 2010年06月28日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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