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文献
J-GLOBAL ID：201002272440266749
整理番号：10A0346602
パターン形成したサファイア基板上に成長させたGaN上の微細構造特性と転位発展 透過型電子顕微鏡研究
Microstructural properties and dislocation evolution on a GaN grown on patterned sapphire substrate: A transmission electron microscopy study
KIM Y. H.
(Korea Res. Inst. of Standards and Sci., 1 Doryong-Dong, Yuseong-Gu, Daejeon 305-340, KOR)
,
RUH H.
(Korea Res. Inst. of Standards and Sci., 1 Doryong-Dong, Yuseong-Gu, Daejeon 305-340, KOR)
,
NOH Y. K.
(Wooree LST Corp., Ansan-shi, Kyungki-do 425-833, KOR)
,
KIM M. D.
(Dep. of Physics, Chungnam National Univ., 220 Gung-Dong, Yuseong-Gu, Daejeon 305-764, KOR)
,
OH J. E.
(Div. of Electrical and Computer Engineering, Hanyang Univ., Ansan City, Kyunggi-do 425-791, KOR)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 107 号： 6 ページ： 063501 発行年： 2010年03月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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