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文献
J-GLOBAL ID：201002273241833592
整理番号：10A1114267
高品質グラフェンエレクトロニク用の窒化ホウ素基板
Boron nitride substrates for high-quality graphene electronics
DEAN C. R.
(Columbia Univ., New York, USA)
,
YOUNG A. F.
(Columbia Univ., New York, USA)
,
MERIC I.
(Columbia Univ., New York, USA)
,
LEE C.
(Sungkyunkwa Univ., Suwon, KOR)
,
WANG L.
(Columbia Univ., New York, USA)
,
SORGENFREI S.
(Columbia Univ., New York, USA)
,
WATANABE K.
(National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN)
,
TANIGUCHI T.
(National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN)
,
KIM P.
(Columbia Univ., New York, USA)
,
SHEPARD K. L.
(Columbia Univ., New York, USA)
,
HONE J.
(Columbia Univ., New York, USA)
資料名：
Nature Nanotechnology
(Nature Nanotechnology)
巻： 5 号： 10 ページ： 722-726 発行年： 2010年10月
JST資料番号： W2059A ISSN： 1748-3387 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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