文献
J-GLOBAL ID:201002273297620478
整理番号:10A0617839
量子井戸を持つ成長のままおよびアニールしたMgZnO/ZnO構造中の浅い中心と深い中心
Shallow and Deep Centers in As-Grown and Annealed MgZnO/ZnO Structures with Quantum Wells
著者 (8件):
POLYAKOV A. Y.
(Inst. Rare Metals, Moscow, RUS)
,
SMIRNOV N. B.
(Inst. Rare Metals, Moscow, RUS)
,
GOVORKOV A. V.
(Inst. Rare Metals, Moscow, RUS)
,
KOZHUKHOVA E. A.
(Inst. Rare Metals, Moscow, RUS)
,
BELOGOROKHOV A. I.
(Inst. Rare Metals, Moscow, RUS)
,
NORTON D. P.
(Univ. Florida, FL, USA)
,
KIM H. S.
(Univ. Florida, FL, USA)
,
PEARTON S. J.
(Univ. Florida, FL, USA)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
39
号:
5
ページ:
601-607
発行年:
2010年05月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)