文献
J-GLOBAL ID:201002273530122033
整理番号:10A0581012
プラズマベースイオン注入・堆積のための正プラズマバイアス法
Positive-plasma-bias method for plasma-based ion implantation and deposition
著者 (4件):
IKEHATA T.
(Inst. of Applied Beam Sci., Ibaraki Univ., 4-12-1 Nakanarusawa-cho, Hitachi, Ibaraki 316-8511, JPN)
,
SASAKI R.
(Inst. of Applied Beam Sci., Ibaraki Univ., 4-12-1 Nakanarusawa-cho, Hitachi, Ibaraki 316-8511, JPN)
,
TANAKA T.
(Dep. of Electronics and Computer Engineering, Hiroshima Inst. of Technol., JPN)
,
YUKIMURA K.
(Dep. of Electrical Engineering, Doshisha Univ., 1-3 Tatara-Miyakodani, Kyotanabe, Kyoto 610-0394, JPN)
資料名:
Surface & Coatings Technology
(Surface & Coatings Technology)
巻:
204
号:
18-19
ページ:
2881-2891
発行年:
2010年06月25日
JST資料番号:
D0205C
ISSN:
0257-8972
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)