文献
J-GLOBAL ID:201002273571985445
整理番号:10A0460809
65nm CMOS技術による6T-SRAMのポリピンプル誘導デバイス不整合の改善
Improvement of Poly-Pimple-Induced Device Mismatch on 6T-SRAM at 65-nm CMOS Technology
著者 (6件):
HU Chan-Yuan
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHEN Jone F.
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHEN Shih-Chih
(National Yunlin Univ. Sci. and Technol., Touliu, TWN)
,
CHANG Shoou-Jinn
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
LEE Kay-Ming
(United Microelectronics Corp., Tainan, TWN)
,
LEE Chih-Ping
(United Microelectronics Corp., Tainan, TWN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
57
号:
4
ページ:
956-959
発行年:
2010年04月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)