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文献
J-GLOBAL ID：201002274249028644
整理番号：10A0334599
HfO2の高k誘電体上の原子層蒸着あるいは物理気相蒸着により調製したTiN金属ゲートの熱安定性
Thermal stability of TiN metal gate prepared by atomic layer deposition or physical vapor deposition on HfO2 high-K dielectric
WU L.
(School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, SGP)
,
YU H. Y.
(School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, SGP)
,
LI X.
(School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, SGP)
,
PEY K. L.
(School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, SGP)
,
PAN J. S.
(Inst. of Materials Res. and Engineering, 3 Res. Link, Singapore 117602, SGP)
,
CHAI J. W.
(Inst. of Materials Res. and Engineering, 3 Res. Link, Singapore 117602, SGP)
,
CHIU Y. S.
(TSMC ROC, 8, Li-Shin Rd., 6 Hsinchu, Taiwan)
,
LIN C. T.
(TSMC ROC, 8, Li-Shin Rd., 6 Hsinchu, Taiwan)
,
XU J. H.
(TSMC ROC, 8, Li-Shin Rd., 6 Hsinchu, Taiwan)
,
WANN H. J.
(TSMC ROC, 8, Li-Shin Rd., 6 Hsinchu, Taiwan)
,
YU X. F.
(TSMC ROC, 8, Li-Shin Rd., 6 Hsinchu, Taiwan)
,
LEE D. Y.
(TSMC ROC, 8, Li-Shin Rd., 6 Hsinchu, Taiwan)
,
HSU K. Y.
(TSMC ROC, 8, Li-Shin Rd., 6 Hsinchu, Taiwan)
,
TAO H. J.
(TSMC ROC, 8, Li-Shin Rd., 6 Hsinchu, Taiwan)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 96 号： 11 ページ： 113510 発行年： 2010年03月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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