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文献
J-GLOBAL ID：201002274339726383
整理番号：10A0362080
熱ドナー活性化により徐々に補償される単結晶シリコンにおけるHall移動度低下
Hall mobility reduction in single-crystalline silicon gradually compensated by thermal donors activation
VEIRMAN J.
(CEA, LITEN, INES, 50 av du Lac Leman, F-73377 Le Bourget du Lac, FRA)
,
DUBOIS S.
(CEA, LITEN, INES, 50 av du Lac Leman, F-73377 Le Bourget du Lac, FRA)
,
ENJALBERT N.
(CEA, LITEN, INES, 50 av du Lac Leman, F-73377 Le Bourget du Lac, FRA)
,
GARANDET J.p.
(CEA, LITEN, INES, 50 av du Lac Leman, F-73377 Le Bourget du Lac, FRA)
,
HESLINGA D.r.
(CEA, LITEN, INES, 50 av du Lac Leman, F-73377 Le Bourget du Lac, FRA)
,
LEMITI M.
(Lab. de Physique de la Matiere, UMR-CNRS 5511, INSA de Lyon, Bat. B. Pascal, 7 Avenue Jean Capelle, 69621 ...)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 54 号： 6 ページ： 671-674 発行年： 2010年06月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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