文献
J-GLOBAL ID:201002274368507550
整理番号:10A1039671
ナノスケール配線の形状変動とCu/低k誘電体の時間依存ブレークダウンに及ぼすその影響
Geometric Variability of Nanoscale Interconnects and Its Impact on the Time-Dependent Breakdown of Cu/Low-k Dielectrics
著者 (4件):
LEE Shou-Chung
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN)
,
LEE Shou-Chung
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
OATES Anthony S.
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN)
,
CHANG Kow-Ming
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
(IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻:
10
号:
3
ページ:
307-316
発行年:
2010年09月
JST資料番号:
W1320A
ISSN:
1530-4388
CODEN:
ITDMA2
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)