文献
J-GLOBAL ID:201002275338933470
整理番号:10A1545709
垂直方向に不均一なドープのシリコンフィルムを用いた短ゲートSOI MESFETの閾値電圧を導くための解析モデル
Analytical model for deriving the threshold voltage of a short gate SOI MESFET with vertically non-uniformly doped silicon film
著者 (1件):
SUH C. H.
(Hongik Univ., Seoul, KOR)
資料名:
IET Circuits, Devices & Systems
(IET Circuits, Devices & Systems)
巻:
4
号:
6
ページ:
525-530
発行年:
2010年11月
JST資料番号:
A0160C
ISSN:
1751-858X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)