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文献
J-GLOBAL ID：201002275404750226
整理番号：10A0359026
選択エッチングで作製された多孔質のnc-Si-SiOxから成る構造における可視光域の光ルミネセンス
Visible Photoluminescence of Selectively Etched Porous nc-Si-SiOx Structures
INDUTNYI I.Z.
(Lashkarev Inst. Semiconductor Physics, National Acad. Sci. Ukraine, Kyiv, UKR)
,
MICHAILOVSKA E.V.
(Lashkarev Inst. Semiconductor Physics, National Acad. Sci. Ukraine, Kyiv, UKR)
,
SHEPELIAVYI P.E.
(Lashkarev Inst. Semiconductor Physics, National Acad. Sci. Ukraine, Kyiv, UKR)
,
DAN’KO V.A.
(Lashkarev Inst. Semiconductor Physics, National Acad. Sci. Ukraine, Kyiv, UKR)
資料名：
Semiconductors
(Semiconductors)
巻： 44 号： 2 ページ： 206-210 発行年： 2010年02月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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