文献
J-GLOBAL ID:201002275621899580
整理番号:10A1539417
GaN/AlN量子ドットにおけるバンド内遷移による負光伝導率
Negative photoconductivity due to intraband transitions in GaN/AlN quantum dots
著者 (5件):
VARDI A.
(Dep. of Electrical Engineering, Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR)
,
BAHIR G.
(Dep. of Electrical Engineering, Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR)
,
SCHACHAM S. E.
(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Ariel Univ. Center, Ariel 40700, ISR)
,
KANDASWAMY P. K.
(Equipe Mixte CEA-CNRS, Nanophysique et Semiconducteurs, INAC/SP2M/NPSC, CEA-Grenoble, 17 rue des Martyrs, 38054 ...)
,
MONROY E.
(Equipe Mixte CEA-CNRS, Nanophysique et Semiconducteurs, INAC/SP2M/NPSC, CEA-Grenoble, 17 rue des Martyrs, 38054 ...)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
108
号:
10
ページ:
104512
発行年:
2010年11月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)