文献
J-GLOBAL ID:201002275631702505
整理番号:10A0611049
短チャネル,パワー-遅延,熱特性を改善した新しい底面スペーサFinFET構造
A Novel Bottom Spacer FinFET Structure for Improved Short-Channel, Power-Delay, and Thermal Performance
著者 (4件):
SHRIVASTAVA Mayank
(Indian Inst. Technol. Bombay, Mumbai, IND)
,
BAGHINI Maryam Shojaei
(Indian Inst. Technol. Bombay, Mumbai, IND)
,
SHARMA Dinesh Kumar
(Indian Inst. Technol. Bombay, Mumbai, IND)
,
RAO V.Ramgopal
(Indian Inst. Technol. Bombay, Mumbai, IND)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
57
号:
6
ページ:
1287-1294
発行年:
2010年06月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)