文献
J-GLOBAL ID:201002275672119016
整理番号:10A0507748
ホール注入型InGaAs-InP近赤外線フォトFET(Hi-FET)
Hole Injection Type InGaAs-InP Near Infrared Photo-FET (HI-FET)
著者 (1件):
OGURA Mutsuo
(Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Tsukuba, JPN)
資料名:
IEEE Journal of Quantum Electronics
(IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻:
46
号:
3-4
ページ:
562-569
発行年:
2010年03月
JST資料番号:
H0432A
ISSN:
0018-9197
CODEN:
IEJQA7
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)