文献
J-GLOBAL ID:201002275977028673
整理番号:10A1340487
電子構造計算からのMg2Si1-xSbx内のMg空格子点誘起半導体特性
Mg-Vacancy-Induced Semiconducting Properties in Mg2Si1-xSbx from Electronic Structure Calculations
著者 (4件):
TOBOLA Janusz
(AGH Univ. Sci. and Technol., Krakow, POL)
,
TOBOLA Janusz
(ENSMN, Nancy, FRA)
,
KAPRZYK Stanislaw
(AGH Univ. Sci. and Technol., Krakow, POL)
,
SCHERRER Hubert
(ENSMN, Nancy, FRA)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
39
号:
9
ページ:
2064-2069
発行年:
2010年09月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)