文献
J-GLOBAL ID:201002275980191674
整理番号:10A0918172
Ga1-xInxAsySb1-yのΓ及びL伝導バンド極小値のエネルギー差のRaman散乱による決定
Raman scattering determination of the energy difference between Γ and L conduction band minima in Ga1-xInxAsySb1-y
著者 (3件):
CUSCO R.
(Inst. Jaume Almera, Consell Superior d’Investigacions Cientifiques (CSIC), Lluis Sole i Sabaris s.n., 08028 ...)
,
IBANEZ J.
(Inst. Jaume Almera, Consell Superior d’Investigacions Cientifiques (CSIC), Lluis Sole i Sabaris s.n., 08028 ...)
,
ARTUS L.
(Inst. Jaume Almera, Consell Superior d’Investigacions Cientifiques (CSIC), Lluis Sole i Sabaris s.n., 08028 ...)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
97
号:
9
ページ:
091909
発行年:
2010年08月30日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)