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文献
J-GLOBAL ID:201002276083765974   整理番号:10A0343626

抵抗分布と読取擾乱耐性を改善した高いスケーラビリティの酸化ハフニウムメモリ

Highly Scalable Hafnium Oxide Memory with Improvements of Resistive Distribution and Read Disturb Immunity
著者 (16件):
CHEN Y. S.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
CHEN Y. S.
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
LEE H. Y.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
LEE H. Y.
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
CHEN P. S.
(MingShin Univ. Sci. & Technol., Hsinchu, TWN)
GU P. Y.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
CHEN C. W.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
LIN W. P.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
LIU W. H.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
HSU Y. Y.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
SHEU S. S.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
CHIANG P. C.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
CHEN W. S.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
CHEN F. T.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
LIEN C. H.
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
TSAI M.-J.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)

資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)

巻: 2009  ページ: 95-98  発行年: 2009年 
JST資料番号: C0829B  ISSN: 0163-1918  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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