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文献
J-GLOBAL ID：201002276083765974
整理番号：10A0343626
抵抗分布と読取擾乱耐性を改善した高いスケーラビリティの酸化ハフニウムメモリ
Highly Scalable Hafnium Oxide Memory with Improvements of Resistive Distribution and Read Disturb Immunity
CHEN Y. S.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
CHEN Y. S.
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
LEE H. Y.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
LEE H. Y.
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHEN P. S.
(MingShin Univ. Sci. & Technol., Hsinchu, TWN)
,
GU P. Y.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
CHEN C. W.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
LIN W. P.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
LIU W. H.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
HSU Y. Y.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
SHEU S. S.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
CHIANG P. C.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
CHEN W. S.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
CHEN F. T.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
LIEN C. H.
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
TSAI M.-J.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2009 ページ： 95-98 発行年： 2009年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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