文献
J-GLOBAL ID:201002276106469332
整理番号:10A0465468
分子ビームエピタクシーで成長させた(631)A GaAs層におけるSiの取り込み
Study of the Si-incorporation in (631)A GaAs layers grown by molecular beam epitaxy
著者 (7件):
VAZQUEZ-CORTES D.
(Ehime Univ., JPN)
,
VAZQUEZ-CORTES D.
(Coordinacion para la Innovacion y Aplicacion de la Ciencia y Tecnologia, SLP, MEX)
,
CRUZ-HERNANDEZ E.
(Ehime Univ., JPN)
,
CRUZ-HERNANDEZ E.
(Coordinacion para la Innovacion y Aplicacion de la Ciencia y Tecnologia, SLP, MEX)
,
SHIMOMURA S.
(Ehime Univ., JPN)
,
MENDEZ-GARCIA V.H.
(Coordinacion para la Innovacion y Aplicacion de la Ciencia y Tecnologia, SLP, MEX)
,
LOPEZ-LOPEZ M.
(CINVESTAV-IPN, MEX)
資料名:
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻:
57th
ページ:
ROMBUNNO.18P-TW-4
発行年:
2010年03月03日
JST資料番号:
Y0054B
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)