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文献
J-GLOBAL ID:201002276239017256   整理番号:10A0134471

シリコン貫通電極技術を用いた8Gb 3-D DDR3 DRAM

8 Gb 3-D DDR3 DRAM Using Through-Silicon-Via Technology
著者 (21件):
KANG Uksong
(Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR)
CHUNG Hoe-Ju
(Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR)
HEO Seongmoo
(Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR)
PARK Duk-Ha
(Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR)
LEE Hoon
(Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR)
KIM Jin Ho
(Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR)
AHN Soon-Hong
(Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR)
CHA Soo-Ho
(Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR)
AHN Jaesung
(Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR)
KWON DukMin
(Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR)
LEE Jae-Wook
(Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR)
JOO Han-Sung
(Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR)
KIM Woo-Seop
(Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR)
JANG Dong Hyeon
(Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR)
KIM Nam Seog
(Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR)
CHOI Jung-Hwan
(Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR)
CHUNG Tae-Gyeong
(Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR)
YOO Jei-Hwan
(Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR)
CHOI Joo Sun
(Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR)
KIM Changhyun
(Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR)
JUN Young-Hyun
(Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR)

資料名:
IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)

巻: 45  号:ページ: 111-119  発行年: 2010年01月 
JST資料番号: B0761A  ISSN: 0018-9200  CODEN: IJSCBC  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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