文献
J-GLOBAL ID:201002276451913032
整理番号:10A0471618
部分的及び完全Ag被覆Si(111)上のGe成長
Ge Growth on Partially and Entirely Ag Covered Si(111)
著者 (6件):
SCHMIDT Th.
(Inst. of Solid State Physics, Univ. of Bremen, DEU)
,
SPECKMANN M.
(Inst. of Solid State Physics, Univ. of Bremen, DEU)
,
FALTA J.
(Inst. of Solid State Physics, Univ. of Bremen, DEU)
,
MENTES T. O.
(Sincrotrone Trieste, ITA)
,
NINO M. A.
(Sincrotrone Trieste, ITA)
,
LOCATELLI A.
(Sincrotrone Trieste, ITA)
資料名:
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web)
(e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web))
巻:
8
ページ:
221-226 (J-STAGE)
発行年:
2010年
JST資料番号:
U0016A
ISSN:
1348-0391
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)