文献
J-GLOBAL ID:201002276550942249
整理番号:10A0134456
NOR型フラッシュメモリデバイスのためのドーパント凝集Schottky障壁(DSSB)FinFET SONOSデバイスにたいするプログラミング特性のFin(Wfin)幅依存性
Fin Width (Wfin) Dependence of Programming Characteristics on a Dopant-Segregated Schottky-Barrier (DSSB) FinFET SONOS Device for a NOR-Type Flash Memory Device
著者 (5件):
CHOI Sung-Jin
(Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR)
,
HAN Jin-Woo
(Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR)
,
MOON Dong-Il
(Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR)
,
JANG Moongyu
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
CHOI Yang-Kyu
(Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
31
号:
1
ページ:
71-73
発行年:
2010年01月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)